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當前，憑借高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優勢，碳化硅功率器件已經成為新能源汽車、5G通訊、軌道交通、智能電網等市場新的增長點。 據TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處預測，2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，預期至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元。 當前，全球碳化硅市場主要被國外廠商所占據，尤其是面對巨大的市場前景，STM、Infineon、Wolfspeed、ROHM、Onsemi等一眾國際半導體廠商都紛紛加碼擴產。而近期，除了安森美半導體考慮投資20億美元擴產碳化硅芯片外，SK集團也宣布其釜山新工廠正式量產SiC，產能擴大近3倍。 5月16日，SK集團宣布，SK powertech位于釜山的新工廠結束試運行，將正式投入批量生產。 這意味著SK集團的SiC（碳化硅）半導體產能將擴大近3倍，預計2026年SK powertech銷售額增長將超過5000億韓元（約合3.74億美元）。 資料顯示，SK集團是目前韓國首家擁有SiC全產業鏈的廠商，而旗下SK powertech則是全球SiC（碳化硅）電力半導體設計、生產領域的知名企業。 去年5月，SK集團宣布，未來五年將投資247萬億韓元（相當于1976億美元）在半導體、電池以及生物制藥領域進行投資，其中的179萬億韓元將在韓國本土投資以協助韓國本土振興經濟。 據“SK中國”介紹，SK powertech釜山新工廠計劃到2023年第四季度，工廠開工率將提升至100%，屆時新工廠將具備年產29000張（150mm/6英寸晶片標準）規模的SiC電力半導體生產能力，比目前的約10000張提升近3倍。 ?

近日，由科技日報社主辦、部分兩院院士和媒體人士共同評選出的2022年國內十大科技新聞揭曉，清華團隊首次制成柵極長度最小的晶體管入選2022年國內十大科技新聞。 △亞1納米柵長晶體管結構示意圖 人類又向摩爾定律的極限發起挑戰。這一次，中國人扮演了探索者的角色。清華大學集成電路學院團隊首次制備出亞1納米柵極長度的晶體管，該晶體管具有良好的電學性能。相關成果在線發表在3月15日的《自然》雜志上。 過去幾十年，晶體管的柵極尺寸不斷微縮。隨著尺寸進入納米尺度，電子遷移率降低、靜態功耗增大等效應越發嚴重。新結構和新材料的開發迫在眉睫。目前主流工業界晶體管的柵極尺寸在12納米以上。為進一步突破1納米以下柵長晶體管的瓶頸，研究團隊巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優異的導電性能作為柵極，通過石墨烯側向電場來控制垂直的二硫化鉬（MoS_2）溝道的開關，從而實現等效的物理柵長為0.34納米。 △隨著摩爾定律的發展，晶體管柵長逐步微縮，本研究實現了亞1納米柵長的晶體管 團隊通過在石墨烯表面沉積金屬鋁并自然氧化的方式，完成了對石墨烯垂直方向電場的屏蔽。再使用原子層沉積的二氧化鉿作為柵極介質、化學氣相沉積的單層二維二硫化鉬薄膜作為溝道。具體器件結構、工藝流程、完成實物圖如下所示： △亞1納米柵長晶體管器件工藝流程、示意圖、表征圖以及實物圖 研究發現，由于單層二維二硫化鉬薄膜相較于體硅材料具有更大的有效電子質量和更低的介電常數，在超窄亞1納米物理柵長控制下，晶體管能有效的開啟、關閉，其關態電流在pA量級，開關比可達105，亞閾值擺幅約117mV/dec。大量、多組實驗測試數據結果也驗證了該結構下的大規模應用潛力。基于工藝計算機輔助設計（TCAD）的仿真結果進一步表明了石墨烯邊緣電場對垂直二硫化鉬溝道的有效調控，預測了在同時縮短溝道長度條件下，晶體管的電學性能情況。這項工作推動了摩爾定律進一步發展到亞1納米級別，同時為二維薄膜在未來集成電路的應用提供了參考依據。 △統計目前工業界和學術界晶體管柵極長度微縮的發展情況，本研究率先達到了亞1納米 紐約州立大學布法羅分校納米電子學家李華民對此評價道：這項新工作將柵極的尺寸極限進一步縮小到僅一層碳原子的厚度，在相當長的一段時間內，要打破這一紀錄是非常困難的。 單層石墨烯厚度僅0.34納米，本身是平面結構，這就要求溝道是垂直結構，這是一大難題。另外石墨烯除了側壁能夠柵控，其表面也能柵控，因此屏蔽石墨烯表面電場也是難點，中國團隊使用自氧化鋁層來完成這一點。 二維薄膜的未來集成電路將會帶來柔軟、透明、高密度的芯片。如果使用新材料，就有機會實現全柔性的手機——其CPU、存儲器都是軟的，而且更加節能。 『本文轉載自網絡,版權歸原作者所有,如有侵權請聯系刪除』

[環球時報特約記者 陳立非]為確保臺灣半導體產業在全球的領先地位，臺“行政院”17日通過被稱為“臺版芯片法”的“產業創新條例”修正草案，之后將送“立法院”審議。臺媒稱，未來臺積電、聯發科等半導體大廠都有機會適用。 　　修正草案明定，在島內進行前瞻技術創新、且居國際供應鏈關鍵地位的公司，符合“適用資格條件者”，其在前瞻創新研究發展的25%支出可抵減當年度應納營利事業所得稅額，購置先進設備的5%支出抵減當年度營利事業所得稅額，且無投資抵減支出金額上限。不過，單項投資抵減總額不得超過當年度納稅額的30%，兩項同時申請則以稅額的50%為限。 　　臺灣《聯合報》舉例稱，假設一家公司2023年度前瞻創新研發支出為100億元（新臺幣，下同）、投資先進制程機器設備150億元，抵減前應納稅額為60億元。如果該公司符合規定，則研發支出100億元中，雖然可享25%優惠，但因為公司應納營業所得稅的30%，也就是最高只有18億元可計入抵減，因此研發項目享有18億元的抵減優惠。另外，在設備支出的150億元中，以機器設備投抵5%的租稅優惠為7.5億元。也就是說，該公司前瞻創新研發支出加上機器設備支出兩項，2023年度可享有投資抵減25.5億元（18億元+7.5億元）。 　　針對此消息，臺積電稱會持續投資臺灣，對此法案樂觀其成。日月光集團旗下日月光半導體執行長吳田玉也稱，未來十年，半導體產業大環境會有更大的挑戰，產業在全球高額補助及多重管制之下，競爭將更為艱難。此次“產創條例”的修法，業界樂觀其成，實質影響有待法規細節及配套措施。力積電董事長黃崇仁則在采訪中表示，當局通過設備投資抵減，照顧臺灣半導體產業的美意，他給予肯定并樂觀其成，但硬冠上“前瞻研發”及“先進制程設備”，似乎只想針對臺積電或少數設備商提供補助。 　　臺灣《中國時報》17日引用分析師的話稱，當局推出相關補助政策，有利島內半導體廠商的競爭力，但目前半導體庫存調整，成熟制程的產能利用率下滑明顯，廠商營收和獲利將被影響，因此對相關個股持中立的看法。 　　另有分析認為，民進黨當局大力扶持半導體產業，一方面是希望從打造“護臺神山”到打造“護臺群山”，同時也是通過加大半導體供應鏈在美國心目中的分量，強化臺灣安全。輿論則擔憂，臺灣的產業高度集中半導體產業，可能會染上“荷蘭病”，也就是高科技長期一枝獨秀，產業發展不均，加速M型化社會發展，進一步拉大島內貧富差距。 ?